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關于發布上海市2021年度“探索者計劃”項目申報指南的通知

時間: 2021-09-15瀏覽: 424編輯: 攝影: ????通訊員: 設置

各(ge)學院(部(bu)):

    為加快構(gou)建基(ji)礎(chu)(chu)(chu)研究(jiu)(jiu)多(duo)元化投(tou)入(ru)機(ji)制,引導鼓(gu)勵企業增加基(ji)礎(chu)(chu)(chu)研究(jiu)(jiu)投(tou)入(ru),拓寬基(ji)礎(chu)(chu)(chu)研究(jiu)(jiu)、應用基(ji)礎(chu)(chu)(chu)研究(jiu)(jiu)與產業化的鏈(lian)接(jie)通道(dao),上海市科學技術(shu)委(wei)員(yuan)會聯合相(xiang)關企業,共同設立“探索者計劃”,現發布2021年度“探索者計劃”項目申報指南。

    一、征集范圍

    高(gao)端醫(yi)療裝備領(ling)域:

    專題一、醫學(xue)影像裝(zhuang)備基礎(chu)材料

    方向1、分子影像探測器用新型閃爍晶體

    研究(jiu)目標: 發(fa)展新型閃(shan)爍(shuo)晶體材料(liao),提升分子影像設(she)備成像質(zhi)量。

    研究內(nei)容(rong): 面向分(fen)子(zi)影(ying)像探測器的(de)(de)醫療(liao)應用需求,開展非潮解、高光輸出(chu)、高能量分(fen)辨率的(de)(de)新(xin)型閃爍(shuo)晶(jing)體材料(liao)(liao)的(de)(de)研制,提出(chu)閃爍(shuo)發光的(de)(de)材料(liao)(liao)設計和性(xing)能調控的(de)(de)新(xin)方法(fa),促進分(fen)子(zi)影(ying)像設備的(de)(de)性(xing)能提高和技術發展。

    執行(xing)期限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jing)費額度: 定額資助,擬支持不超過1個項目,每項資助額度50萬元。

 

    專題二(er)、醫學(xue)影像前沿成像技術

    方(fang)向1、顱腦超聲成像技術

    研(yan)究(jiu)目(mu)標: 建立超(chao)快顱腦(nao)超(chao)聲成像方(fang)法,在不損失空(kong)間分辨率的基(ji)礎上,實(shi)現超(chao)快(<50秒)顱腦超聲成像。

    研究內(nei)容: 圍繞顱(lu)(lu)內(nei)微(wei)細血(xue)管無創、精準、超(chao)快成像需求,建立顱(lu)(lu)腦超(chao)聲(sheng)(sheng)成像方法,在微(wei)米尺(chi)度,實現(xian)對顱(lu)(lu)內(nei)復(fu)雜微(wei)細血(xue)管的無創、結(jie)構與功能成像,并探究異質化肌骨組織超(chao)聲(sheng)(sheng)傳播性質及界面(mian)聲(sheng)(sheng)場(chang)的耦(ou)合效(xiao)應,揭示復(fu)雜肌骨組織中的聲(sheng)(sheng)場(chang)分布規律。

    執行期(qi)限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額度: 定額資助,擬支持不超過1個項目,每項資助額度100萬元。

 

    方向2、基于影像學的心腦血管疾病自動定量分析模型

    研究目標: 探索基于影像學的心(xin)腦血(xue)管疾(ji)病自動定量分析模型與方法,助力提高精準診(zhen)療水平。

    研(yan)究內容: 開展基于影像學(xue)的冠(guan)狀動(dong)脈慢性完(wan)全閉塞病變的自動(dong)定量(liang)分析模型研(yan)究,實現自動(dong)識(shi)別(bie)慢性完(wan)全閉塞病變,對(dui)閉塞段(duan)長度、鈣化(hua)、直徑(jing)、曲度和開口形態完(wan)成(cheng)自動(dong)測量(liang)、評估(gu)等。

    執行(xing)期限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經(jing)費(fei)額度(du): 定額資助,擬支持(chi)不超過1個項目,每項資助額度50萬元。

 

    專題三(san)、醫學影像(xiang)應用基(ji)礎研究

    方向1、基于超高分辨率分子影像技術的菌群示蹤與監測技術研究

    研究(jiu)目標(biao): 建立以超(chao)高分辨率分子(zi)影像為基(ji)礎的菌(jun)群(qun)示蹤與監測技(ji)術體系(xi),為臨床菌(jun)群(qun)移植的評(ping)估方(fang)法、評(ping)估標(biao)準提供支撐(cheng)。

    研究內容: 利(li)用全數字(zi)超高分辨率PET/CT技術,開展菌群的示蹤成像技術研究,實現精準示蹤菌群的動態在體活性,并結合菌群移植治療,刻畫治療后腸道代謝的變化狀態,篩選獲得和預后相關的影像標志物,構建菌群治療的客觀評估體系。

    執(zhi)行期限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額度: 定額資助(zhu),擬支持不超過1個項目,每項資助額度50萬元。

 

    方向2、基于MRI的肝癌細胞異質性量化方法及中藥改善靶向治療的機制研究

    研究(jiu)目標(biao): 建(jian)立(li)肝癌細(xi)胞(bao)時空(kong)異質(zhi)(zhi)性的量(liang)化(hua)方法,實現(xian)腫瘤(liu)時空(kong)異質(zhi)(zhi)性的無創定量(liang)評估(gu)。

    研究內容(rong): 基于MRI和深度學習技術,研究建立預測中藥、常用靶向藥和中藥協同常用靶向藥物治療肝癌療效的預測評價方法。建立肝癌動物模型數據庫和肝癌細胞異質性MRI預測支持系統,開展中藥調控腫瘤信號通路的機制研究。

    執(zhi)行期限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額度: 定額資助,擬(ni)支持不超過1個項目,每項資助額度50萬元。

 

    方(fang)向3、代謝相關脂肪性肝病(MAFLD)及合并疾病的磁共振定量成像研究

    研究(jiu)目標(biao): 瞄準MAFLD疾病進程中肝臟脂肪沉積-炎癥-纖維化-肝細胞損傷,建立MRI量化評估及早期預警模型。

    研究內容: 開展(zhan)快速、全肝、脂肪精準定量(liang)的成(cheng)像新(xin)算法研究,研發MR彈性成像一體化線圈、快速成像技術及新算法,為炎癥活動程度、纖維化分期提供技術支撐。研究建立MAFLD及合并疾病譜的無創性診斷、風險分層、疾病監測的綜合模型。

    執(zhi)行期限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額(e)度: 定額(e)資助,擬支持不超過(guo)1個項目,每項資助額度100萬元。

 

    方向4、基于腦儲備理論模型的腦小血管病的神經影像學機制研究

    研究目標(biao): 從腦損傷和腦儲備角度出發,全面揭示腦小血管病的(de)神經影像(xiang)學(xue)機(ji)制,明確(que)腦儲備功能在疾病發生、發展中的(de)作用和地位。

    研究內容: 研究建立基(ji)于多(duo)模態、多(duo)特征的結(jie)構(gou)和功能(neng)網絡,提(ti)取并分析不少于15個多維度腦網絡拓撲學特征。探索基于假設驅動和數據驅動的方法,開展腦小血管疾病智能化診斷技術基礎模型研究。

    執行期限(xian): 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額度: 定額資助,擬支持(chi)不超過1個項目,每項資助額度100萬元。

 

    集成電(dian)路領域:

    專(zhuan)題四、集成(cheng)電路前瞻性(xing)研究

    方向1、全包圍環柵納米線隧穿晶體管研究

    研究目標: 基于納(na)米線隧穿(chuan)晶(jing)體管(GAATFET)特有的隧穿機制,研發可量產的關鍵低缺陷工藝模塊,建立晶體管集約物理模型,形成關鍵技術的自主知識產權。

    研究內容(rong): 探究結構參數、摻雜(za)分布(bu)、陷阱(jing)等對GAATFET開態電流、亞閾值擺幅等關鍵特性的影響,求解溝道內三維電場及電勢分布,建立GAATFET基于表面勢的IV及CV物理集約模型,獲得飽和驅動電流和亞閾值擺幅等特性的依賴關系。基于TCAD三維工藝仿真和先進量產工藝技術開發GAATFET低缺陷關鍵工藝及模塊,包括源漏摻雜、界面態技術及納米線刻蝕等,探索兼容CMOS工藝的GAATFET成套工藝流程。

    執行期限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額度: 定(ding)額資助,擬支持不(bu)超過1個項目,每項資助額度100萬元。

    

    方向2、納米級三維器件結構中新材料工藝的電學特性表征機理研究

    研究目標: 針對先進CMOS技術中三維結構對精準測控High-Kmetalgate(HKMG)等新材料電學特性的需求,開發納米級分辨的局域電導、功函數等測量技術,實現對FinFET結構內部電子學特性的表征。

    研究內容: 基于電學模式掃描(miao)探針(zhen)顯微方(fang)法,開發TiN/HfO等材料功函數的低噪聲測量方案,研究不同工藝條件材料功函數與器件效能的關聯機制。建立針對三維FinFET結構的極限分辨分布電阻測量模式,在空間分辨率和測量精度兩方面滿足先進CMOS制程中柵極和源漏材料工藝研發的要求。

    執行期限(xian): 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額度: 定額資助,擬(ni)支持不超過1個項目,每項資助額度100萬元。

 

    方向3、微納電子原子級TCAD仿真工具研究

    研究目(mu)標: 發展基(ji)于高(gao)度(du)局(ju)域(yu)化且最小完備(bei)基(ji)組的第一性原理量子輸運(yun)計算(suan)方法(fa),實現高(gao)精度(du)的大尺度(du)器件性能模擬。

    研(yan)究內(nei)容: 研(yan)究第(di)一性原理量子(zi)輸運計算方法,結合先(xian)進數(shu)值并行計算實現高(gao)精(jing)度(du)的大(da)尺度(du)器件(jian)性能(neng)模(mo)擬。進行高(gao)精(jing)度(du)分子(zi)動力(li)學和蒙特卡(ka)洛在較大(da)空間(jian)/時間尺度上的半導體工藝仿真,建立半導體核心工藝的高精度勢能數據庫。建立原子級半導體工藝和性能的TCAD仿真計算技術平臺,具有第一性原理方法計算精度。

    執行期限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額度: 定(ding)額資(zi)助(zhu),擬支持不超過1個項目,每項資助額度100萬元。

 

    專題五、新型存儲器與(yu)存算一體(ti)研(yan)究

    方向1、低功耗存算一體SRAM存儲器設計

    研究(jiu)目標: 探索基(ji)于SRAM的新一代低功耗存算一體存儲器架構,提高性能功耗比,實現高速低功耗存儲與計算。

    研究內容: 結合FDSOI工藝超低功耗和高性能特性,研究開發基于SRAM的新一代低功耗存算一體存儲器架構,建立人工智能算法的硬件映射方法,提升單位容量的吞吐率和MNIST數據集準確率,并可應用于多種先進工藝節點。研究開發新型存算一體SRAM存儲器,提高人工智能算法數據計算及模型訓練速率,探索其在圖像識別與智能物聯網方面的應用。

    執行期(qi)限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額度: 定額資(zi)助,擬支持不超過(guo)1個項目,每項資助額度100萬元。

 

    方向2、面向憶阻器件與工藝亞穩態特性的AI芯片設計方法學研究

    研究目標: 探索跨器件(jian)-架構-算法的RRAM軟硬協同設計方法,形成基于亞穩態器件構建高魯棒人工智能(AI)算法的近似計算理論,解決RRAM工藝亞穩態效應下AI計算誤差問題。

    研究內(nei)容: 構建(jian)RRAM器件工藝亞穩態特性對AI計算精度的解析模型,探索基于該模型的跨層次軟硬協同方法,形成一套近似計算理論,基于該理論構建的AI芯片具有較高的MNIST識別準確率和CIFAR-10識別準確率。

    執行期限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額度(du): 定額資助,擬支持(chi)不超過1個項目,每項資助額度100萬元。

 

    專題六、先進傳感和功率器件研究

    方向(xiang)1、新原理主動像素傳感器研究

    研究目標: 發展基于FDSOI襯底的新原理單管CMOS圖像傳感器(CIS)主動像素單元,提高CIS量子效率和集成密度,達到國際先進水平并可進一步提升。

    研究內容: 基于器件物理(li)原理(li),結合FDSOI襯底深耗盡及界面耦合效應,設計具有單管結構的高密度新型像素單元。基于先進FDSOI工藝平臺開發版圖與工藝制備流程并驗證原型器件。研究優化其設計參數對性能的調控規律,驗證像素尺寸、靈敏度、暗電流及阱容量等指標達到國際先進水平并實現8×8小型像素陣列。研究陣列像素間的串擾受結構參數的影響規律和改善技術。

    執行期限(xian): 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額(e)度: 定額(e)資(zi)助,擬支(zhi)持不超過(guo)1個項目,每項資助額度100萬元。

 

    方向2、高分辨率dTOF傳感器研究

    研究(jiu)目標: 探索基于SPAD陣列的dTOF傳感器設計與工藝。

    研(yan)究(jiu)內容(rong): 研(yan)究(jiu)開發具(ju)有新型結(jie)構的SPAD像素器件,優化SPAD像素性能,提高SPAD光子探測效率,探索實現SPAD陣列與傳統邏輯電路的3D集成工藝,研發具有較高分辨率、優異性能的dTOF整體解決方案。

    執行期限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額(e)度: 定(ding)額(e)資助(zhu),擬支持不超過1個項目,每項資助額度100萬元。

 

    方向3、功率芯片能量輸運機理和高導低阻熱界面材料

    研究目標: 探(tan)索跨(kua)時、空尺(chi)度耦合下的(de)功率芯片產熱傳熱機理,建(jian)立描述熱、電輸運的(de)統一(yi)模型(xing),開發新型(xing)高導低阻(zu)熱界面材料。

    研(yan)究內容: 研(yan)究飛秒/納秒尺度下多載流子耦合及非平衡-平衡輸運過程對功率芯片微觀產熱過程的影響機制。探究高能流密度條件下跨時、空尺度能量輸運隨尺寸、形狀、外加電壓等變化的規律。探究功率芯片中多重界面對載流子輸運的影響規律,建立熱、電輸運統一模型。開發具有優異散熱性能的新型高導低阻熱界面材料。

    執(zhi)行期(qi)限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費(fei)額度: 定額資助,擬支持(chi)不超過1個項目,每項資助額度100萬元。

 

    專題七、毫米波器件研究

    方向(xiang)1、基于傳輸線理論的片上集成互連結構與元件模型和建模方法

    研究目標: 革新射頻芯片(RFIC)原理圖和版圖設計流程,實現基于硅基片上傳輸線解析建模的RFIC設計。

    研究(jiu)內容: 基于65nmRFSOI或者0.18μmSiGeRF工藝,通過工藝襯底和介質損耗模型、基于傳輸線理論的片上集成互連結構(如微帶線、傳輸線等)、元件模型和建模方法研究,建立可參考頻率分布特性的射頻工藝互連結構模型庫和硅基片上傳輸線解析建模的RFIC設計流程,形成EDA環境下PDK一套,集成不少于10個傳輸線模型。

    執行期限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額(e)度: 定額(e)資助,擬支持不(bu)超過1個項目,每項資助額度100萬元。

 

    方向2、高效率硅基毫米波通信相控陣研究

    研究目標(biao): 探索片上(shang)相控陣(zhen)高(gao)效率(lv)拓撲結(jie)構(gou),為開發硅(gui)基相控陣(zhen)芯片提供支(zhi)撐。

    研究內容: 基于硅基SiGe及SOI射頻工藝制程的低噪聲、低損耗、高截止頻率和高品質無源器件等技術特點,進行片上相控陣高效率拓撲研究,開發高效率硅基毫米波通信77GHz相控陣模組。

    執(zhi)行期(qi)限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費額度: 定額資助,擬支持不超(chao)過(guo)1個項目,每項資助額度100萬元。


    方向(xiang)3、CMOS核心器件毫米波太赫茲建模及典型IP設計

    研究目標: 探索CMOS核心器件毫米波段輸運機制及寄生效應,建立毫米波太赫茲有源/無源器件模型,優化典型IP設計。

    研究內容: 研究先進CMOS工藝平臺核心器件在毫米波段的物理機制,分析截止頻率及最高振蕩頻率等FOM值對器件結構及關鍵物理參數的依賴關系。研究毫米波段下寄生效應引入機制及存在形態,建立晶體管毫米波太赫茲物理模型。發展毫米波段精準去嵌及測試技術和完整的模型參數提取方法,達到產業標準的器件擬合精度和關鍵頻點精度,優化低噪聲放大器等典型IP設計。 

    執行期限: 2021年12月01日至2024年11月30日。

    經費(fei)額(e)度: 定額(e)資助,擬支(zhi)持不超(chao)過1個項目,每項資助額度100萬元。

 

    二、申(shen)報要(yao)求

    除滿(man)足前述相應條件外,還須遵循以(yi)下要求:

    1.項目申報(bao)單位(wei)應當(dang)是注冊在(zai)亚博投注的(de)法人或非法人組織,具(ju)有組織項目實施(shi)的(de)相(xiang)應能力。

    2.研究內容(rong)已經獲得財政資(zi)金支(zhi)持的,不得重復申報。

    3.所有申(shen)(shen)報單位和項(xiang)目參與人應遵守(shou)(shou)科(ke)研(yan)倫理準(zhun)則,遵守(shou)(shou)人類遺(yi)傳資源管(guan)理相關(guan)法規(gui)和病原微(wei)生(sheng)物(wu)實(shi)驗室生(sheng)物(wu)安(an)全管(guan)理相關(guan)規(gui)定,符合科(ke)研(yan)誠(cheng)信管(guan)理要求。項(xiang)目負責人應承諾(nuo)所提交(jiao)材(cai)(cai)料(liao)真實(shi)性(xing),申(shen)(shen)報單位應當對(dui)申(shen)(shen)請(qing)人的申(shen)(shen)請(qing)資格負責,并對(dui)申(shen)(shen)請(qing)材(cai)(cai)料(liao)的真實(shi)性(xing)和完整性(xing)進(jin)行審(shen)核,不得提交(jiao)有涉密內(nei)容的項(xiang)目申(shen)(shen)請(qing)。

    4.申(shen)(shen)報項目(mu)(mu)若提出(chu)(chu)回避(bi)專家申(shen)(shen)請的(de),須在提交(jiao)項目(mu)(mu)可行性方案的(de)同(tong)時(shi),上傳由申(shen)(shen)報單位出(chu)(chu)具公(gong)函提出(chu)(chu)回避(bi)專家名單與理由。

    5.已作為項(xiang)目負責人承擔(dan)市科委科技計劃在研項(xiang)目2項(xiang)及(ji)以上者(zhe),不得作為項(xiang)目負責人申報。

    6.項目經費(fei)預算(suan)編制(zhi)應(ying)當真實、合(he)理,符合(he)市科委科技計劃項目經費(fei)管理的有(you)關要求。

    7.各研(yan)究(jiu)方向同一法人或非法人組織(zhi)限(xian)報(bao)1項。

    8.申(shen)請(qing)(qing)人在申(shen)請(qing)(qing)前應(ying)向聯合資助方了解相關項目的需求背景和要求。高(gao)端醫療裝備領域(專題1-專題3),請(qing)(qing)聯系(xi)(xi)康(kang)女士(shi),聯系(xi)(xi)電(dian)話(hua)15000500752;集成電(dian)路領域(專題4-專題7),請(qing)(qing)聯系(xi)(xi)任先生(sheng),聯系(xi)(xi)電(dian)話(hua)13817606447。

    9.申(shen)請項目評審通(tong)過后(hou),申(shen)請人(ren)及所(suo)在單(dan)位(wei)將(jiang)收到(dao)簽(qian)訂“探索(suo)者計劃資助(zhu)項目協議(yi)書”的(de)通(tong)知。申(shen)請人(ren)接到(dao)通(tong)知后(hou),應當及時(shi)與聯(lian)合(he)資助(zhu)方聯(lian)系,在通(tong)知規定的(de)時(shi)間內完成協議(yi)書簽(qian)訂工作。

 

    三、申報方(fang)式

    1.項目申報采用網上(shang)申報方式(shi),無需送交紙質(zhi)材料。申請人通過“中(zhong)國上(shang)海”門(men)戶網站(http://www.sh.gov.cn)--政務服(fu)務--點擊“上(shang)海市財政科技投入信息管理(li)平臺(tai)”進入申報頁(ye)面(mian),或者直接通過域名http://czkj.sheic.org.cn/進入申報頁(ye)面(mian):   

  【初次(ci)填寫】使(shi)用申報賬號登錄系統(注冊時亚博投(tou)注的(de)學校代碼為42503614-8),轉入申報指南頁面,點擊相應的指南專題后,按提示完成“上海科技”用戶賬號綁定,再進行項目申報;   

  【繼續填寫】登錄已注冊申報賬號、密碼后繼續該(gai)項目的填報。

    2.項(xiang)目網(wang)上http://u.stcsm.sh.gov.cn/)填報起(qi)始時間為(wei)2021年9月22日9:00,截止時間(含申報單位網上審核提交)為2021年10月14日16:30。

 

四、亚博投(tou)注安排

1.本項目為限項申報(bao): 各研究方向限(xian)報1項。

2.請依托亚博投注申報的教師于2021年(nian)107日(ri)16:00前(qian)完成網上(shang)填報工作,逾期視為放棄。如研(yan)究方向超(chao)限,科技發展(zhan)研究(jiu)院將組織(zhi)校內(nei)遴選,遴選時間另行安排(pai)。

 

聯(lian)系(xi)人: 黃凱 詹偉(wei)

聯(lian)系電話: 55274272

科技發(fa)展研究院

2021年9月15日


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