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關于發布上海市2021年度 EDA領域“揭榜掛帥”項目申報指南的通知

時間: 2021-09-16瀏覽: 273編輯: 攝影: ????通訊員: 設置

各學院(yuan)(部(bu)):

    為深化探索創新攻(gong)關(guan)新機制,推(tui)進(jin)亚博投注EDA領(ling)域(yu)關(guan)鍵技術(shu)突(tu)破,上(shang)海市科(ke)學技術(shu)委員(yuan)會(以(yi)下(xia)簡稱“市科(ke)委”)按(an)照(zhao)揭榜掛帥(shuai)制方式,針對相關(guan)科(ke)研攻(gong)關(guan)任務,凝練懸賞標的(de),特發布2021年度上(shang)海市EDA領(ling)域(yu)“揭榜掛帥(shuai)”項目指南(nan)。

    一、征集(ji)范圍

    方(fang)向一: 百億門級別可(ke)擴展原(yuan)型驗證系統及軟件(jian)

    面(mian)向超大(da)規模集成(cheng)電路芯片設計環節對原(yuan)型驗證平臺(tai)的技(ji)術需求,研發國產(chan)百(bai)億(yi)門(men)級可(ke)擴展原(yuan)型驗證系統,包(bao)含(han)自動分(fen)片、編譯、運行、調試(shi)及管理的軟件技(ji)術及相應的可(ke)重(zhong)用(yong)、易重(zhong)構(gou)的硬件架(jia)構(gou)。

    1.考核指標:

    實現百億門(men)級別可擴展(zhan)原型驗證系(xi)統軟件(jian)及硬件(jian),包含:

    1)自動(dong)分片、編譯、運行、調試及管理的軟件(jian)

    (1)實現RTL級及網表級自(zi)動分片(pian)及導(dao)向型分片(pian),支持快速邏輯評(ping)估,自(zi)動尋找最優分片(pian)方(fang)案并添加(jia)時序(xu)和管腳約束,自(zi)動生成分片(pian)后(hou)的系(xi)統(tong)(tong)仿真模型并提供全系(xi)統(tong)(tong)靜態時序(xu)分析。

    (2)實現單(dan)拍(pai)TDM,支持(chi)(chi)自動(dong)插入分片TDM邏(luo)輯,自動(dong)分析最優TDM復用(yong)策(ce)略(lve),并支持(chi)(chi)用(yong)戶指定TDM復用(yong)策(ce)略(lve)。

    (3)支持(chi)邏輯(ji)裁(cai)剪(jian)及模塊實(shi)例重(zhong)用,自動識別并重(zhong)新編譯受影(ying)響的分片。

    (4)支持多(duo)核(he)(he)調試。核(he)(he)數(shu)8個及以上,采樣頻(pin)率>100MHz,采樣深度不(bu)少(shao)于(yu)32GByte,實現(xian)邏輯觸(chu)發(fa)和(he)FSM腳本觸(chu)發(fa)。

    (5)提供LPDDR4/HBM內(nei)存模型(xing)。

    (6)支持動態(tai)探(tan)針,實(shi)現設計的Register/BRAM的全可視功能(neng)。提(ti)供(gong)用(yong)戶(hu)寄存器訪問調試(shi)通道(dao),提(ti)供(gong)虛(xu)擬IO,虛(xu)擬UART,vGDB等(deng)調試(shi)接口(kou)。

    (7)支持原型(xing)驗證系統云(yun)端管理及運行控(kong)制,全程操作可追溯。

 

    2)可重(zhong)用易重(zhong)構(gou)的硬件(jian)架構(gou)

    (1)原型(xing)驗證系(xi)統邏(luo)輯(ji)(ji)規模(mo)達到百(bai)億門及以上(shang)(≥1500M系(xi)統邏(luo)輯(ji)(ji)單元),全系(xi)統高速運(yun)行時設計功耗容量達到20KW及以上(shang)。

    (2)系統組網拓撲靈活,支持100顆邏輯芯片互聯,并可擴(kuo)展到200顆。

    (3)支(zhi)持(chi)的(de)拓撲結(jie)構包含: 8*8平面格柵、4*4*4三(san)維(wei)格柵、星(xing)型(xing)(分(fen)枝(zhi)數(shu)≥4)、環(huan)型(xing)等(deng)。

    (4)系(xi)統(tong)裁剪無需(xu)重組線纜。

    (5)支持LVDS與收發器(qi)互連(lian)組網(wang),且LVDS性(xing)能≥1.4Gbps@1米,收發器(qi)性(xing)能≥16Gbps@1米。

    (6)可根據(ju)組網(wang)拓撲變化,快(kuai)速完成(cheng)組網(wang)自檢(jian)(≤1小時)。支持滿(man)足條(tiao)件(5)性能要(yao)求的全端口壓力(li)測試,且7x24小時零誤(wu)碼。

 

    2.項目交付件(jian):

    (1)工具軟件。

    (2)樣(yang)機用于測試,樣(yang)機含40核心(xin)(每核心(xin)8.938M系統(tong)邏輯單元(yuan),總計>350M系統(tong)邏輯單元(yuan))及(ji)組網。

    (3)各項測試(shi)報(bao)告(gao)。

    3.執(zhi)行期限(xian): 2021年(nian)10月15日至2022年(nian)10月15日。

    4.擬(ni)資(zi)助經(jing)費: 非定額(e)資(zi)助,資(zi)助總經(jing)費不超過2000萬元。

 

    方(fang)向二: 模擬(ADC)芯(xin)片的EDA仿(fang)真工具驗證和協同優(you)化

    電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)仿(fang)真(zhen)EDA工具針對模擬(ADC)芯片(pian)在設計過(guo)程(cheng)中的長周期后(hou)仿(fang)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)仿(fang)真(zhen)速(su)度(du)和高位(wei)ADC電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)仿(fang)真(zhen)精(jing)度(du)問題,為芯片(pian)設計提供可靠的EDA仿(fang)真(zhen)驗證環境(jing),通(tong)過(guo)用戶的實踐反饋優化EDA仿(fang)真(zhen)工具的使(shi)用流程(cheng);同時通(tong)過(guo)不同規模的集成電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu),對比(bi)和驗證仿(fang)真(zhen)的速(su)度(du)和精(jing)度(du),給(gei)出相應比(bi)較(jiao)。

    通(tong)過對(dui)大規(gui)(gui)模(mo)(mo)模(mo)(mo)擬電路中各單(dan)元模(mo)(mo)塊合理(li)化建(jian)模(mo)(mo)優化仿(fang)真(zhen)器核心(xin)算法和多事(shi)件并(bing)行(xing)處理(li)效率,仿(fang)真(zhen)出各單(dan)元模(mo)(mo)塊之間(jian)更貼近實(shi)測數據(ju)的(de)結果,例(li)如互相串擾,IRdrop,延時過長等(deng)定量結果,分析出各模(mo)(mo)塊之間(jian)互相影響的(de)關鍵因(yin)素。以提前預知大規(gui)(gui)模(mo)(mo)模(mo)(mo)擬芯(xin)片中由一系(xi)列非理(li)想(xiang)因(yin)素導致的(de)性能惡化問題,從而優化模(mo)(mo)擬ADC芯(xin)片設(she)計,提升(sheng)性能,縮短設(she)計周期。

    1.考(kao)核指標(biao)

    1)ADC芯片規模不小于1000個晶體管;

    2)仿(fang)(fang)真的測試(shi)電路包括前仿(fang)(fang)和后仿(fang)(fang);

    3)工藝特征尺寸不大(da)于(yu)28nm;

    4)ADC位(wei)數不小(xiao)于12bit;

    5)SNR仿(fang)(fang)真精度(du)要求不(bu)低于(yu)0.5dB。

    2.項(xiang)目交付件(jian)

    1)模擬(ADC)芯片的前(qian)仿和后仿驗證(zheng)報告,

    2)大規模(mo)模(mo)擬電(dian)路中各單元模(mo)塊之間串擾分析和驗(yan)證方法,

    3)Fullspice和(he)不同配(pei)置的Fastspice仿真精度(du)及仿真速(su)度(du)的比較,

    4)Fastspice的(de)(de)不同配置(zhi)對ADC中的(de)(de)串擾、IRdrop、延(yan)時、電流等(deng)仿(fang)真結果分別造(zao)成的(de)(de)影(ying)響。

    3.執(zhi)行期限: 2021年(nian)10月15日至2022年(nian)10月15日。

    4.擬(ni)資(zi)助(zhu)經(jing)費: 非定額資(zi)助(zhu),資(zi)助(zhu)總經(jing)費不(bu)超過500萬元。

 

    方向(xiang)三: 毫(hao)米波低(di)功耗SOC片(pian)上無(wu)源器件(jian)設計仿真

    針對高(gao)頻、高(gao)速無源器(qi)件(jian)設(she)(she)計(ji)(ji),尤其片上電感大(da)規模(mo)設(she)(she)計(ji)(ji),搭(da)建高(gao)精(jing)度的EM仿(fang)(fang)真(zhen)(zhen)建模(mo)平臺,處理IC設(she)(she)計(ji)(ji)中無源結構仿(fang)(fang)真(zhen)(zhen)分析(xi);設(she)(she)計(ji)(ji)多(duo)種pcell無源器(qi)件(jian)模(mo)型(螺(luo)旋電感、巴倫、T-coil等),彌補先進(jin)工(gong)藝節點(dian)下PDK缺(que)少或缺(que)失pcell的問題;利(li)用MOMsolver、智能(neng)(neng)mesh進(jin)行電磁(ci)場快速求(qiu)解及最優剖(pou)分,提(ti)(ti)升仿(fang)(fang)真(zhen)(zhen)速度和精(jing)度,加快設(she)(she)計(ji)(ji)迭代(dai);采(cai)用full-wave仿(fang)(fang)真(zhen)(zhen)、考慮趨膚效應(ying)及鄰近效應(ying),保證(zheng)高(gao)頻仿(fang)(fang)真(zhen)(zhen)準確性;采(cai)用sweep功能(neng)(neng),實(shi)現多(duo)溫度點(dian)、多(duo)物(wu)理尺寸條件(jian)下的仿(fang)(fang)真(zhen)(zhen)分析(xi)比對;利(li)用后處理功能(neng)(neng),一(yi)鍵式導出(chu)設(she)(she)計(ji)(ji)仿(fang)(fang)真(zhen)(zhen)報告(gao),提(ti)(ti)升分析(xi)效率。

    1.考核(he)指標(biao)

    1)片上螺(luo)旋電感(gan)(gan)感(gan)(gan)值的(de)仿(fang)真結果與設計目標(biao)誤(wu)差<1%,

    2)Q值不(bu)小于15;

    3)電感仿(fang)真結果與其(qi)等效模型誤差<2%。

    2.項目交付件:

    1)片(pian)上螺旋電感GDS格式(shi)版圖(tu)數(shu)據(ju)、仿真(zhen)S參數(shu)

    2)電特性(xing)L/Q指標驗證報告、電感的pcell模型。

    3.執行期限(xian): 2021年(nian)10月(yue)15日(ri)至2022年(nian)10月(yue)15日(ri)。

    4.擬資(zi)(zi)助(zhu)經(jing)費(fei): 非定額資(zi)(zi)助(zhu),資(zi)(zi)助(zhu)總經(jing)費(fei)不超過120萬元(yuan)。

 

    方向四: 高端GPU訓練芯片的HBM信(xin)號完整(zheng)性建模(mo)仿(fang)真

    為(wei)精確評估3DIC中HBM信號(hao)的(de)(de)損(sun)(sun)耗(hao)、串擾、眼圖等(deng)(deng)性能指標(biao),需搭建3DICEM仿(fang)(fang)真建模(mo)平(ping)臺(tai)。該(gai)平(ping)臺(tai)需與3DIC設計(ji)工(gong)具無(wu)(wu)縫(feng)鏈接;支(zhi)持(chi)IRCX、ICT等(deng)(deng)工(gong)藝文件,GDS設計(ji)文件導(dao)入,構建精確的(de)(de)硅載(zai)板(ban)仿(fang)(fang)真3D模(mo)型;支(zhi)持(chi)過孔(kong)合并、無(wu)(wu)功(gong)能孔(kong)填充(chong)、網絡自動識別等(deng)(deng)模(mo)型編輯(ji)功(gong)能;針對3DIC設計(ji)周期中的(de)(de)不(bu)同時間節(jie)點提(ti)供(gong)不(bu)同的(de)(de)Mesh劃分機(ji)制;以(yi)及針對硅載(zai)板(ban)互連傳輸(shu)線特點的(de)(de)EM算法引擎,從而精確對3DIC結構進行電磁(ci)場建模(mo)仿(fang)(fang)真,合理評估互連結構的(de)(de)損(sun)(sun)耗(hao)、串擾、眼圖等(deng)(deng)指標(biao)是否滿(man)足JESD235標(biao)準(zhun)。

    1.考核指標

    1)實(shi)現與3DIC設計工(gong)具的高度(du)集成(cheng)和無縫對接;

    2)適用于(yu)3DICHBM結構的EM仿真算法和引(yin)擎;

    3)針對3DIC設計周期中DesignExploration、Physical

    Implementation、Sign-Off節(jie)點提供有針對性(xing)的仿真機制;

    4)HBM信(xin)號互聯結(jie)構插(cha)入損耗、回波損耗指(zhi)標精度≥90%;

    5)HBM信(xin)號互(hu)連結構(gou)串(chuan)擾指標精(jing)度≥90%。

    2.項目交(jiao)付件

    1)高端GPU訓練芯(xin)片的HBM信號完整性建模流(liu)程評估報告;

    2)仿(fang)真插回損指標、串擾噪聲、阻抗連續性波動指標評估報告;

    3)高端GPU訓練芯片的HBM互連結(jie)構3D模型。

    3.執行(xing)期(qi)限: 2021年10月15日(ri)至2022年10月15日(ri)。

    4.經(jing)費(fei)額(e)(e)度: 非定額(e)(e)資助,資助總(zong)經(jing)費(fei)不(bu)超過200萬(wan)元

 

    方向五(wu): 大型稀疏矩陣求解(jie)加速算法(fa)研究(jiu)

    在EDA有限元電磁仿真引擎算(suan)法(fa)中,填(tian)充(chong)矩(ju)(ju)陣(zhen)(zhen)之后會(hui)生成大型稀疏(shu)矩(ju)(ju)陣(zhen)(zhen),通常會(hui)達(da)到(dao)上(shang)億(yi)(yi)*上(shang)億(yi)(yi)規模。但是,業(ye)內(nei)現(xian)有的(de)pardiso和(he)umfpack等稀疏(shu)矩(ju)(ju)陣(zhen)(zhen)求解數學庫多核并(bing)行求解效率(lv)低,占(zhan)用內(nei)存過大,導致無法(fa)滿足大規模電磁仿真需求。因此,需要一套大型稀疏(shu)矩(ju)(ju)陣(zhen)(zhen)壓縮或者拆分(fen)(fen)算(suan)法(fa),可以將大型稀疏(shu)矩(ju)(ju)陣(zhen)(zhen)拆分(fen)(fen)成多個(ge)小型矩(ju)(ju)陣(zhen)(zhen),并(bing)利用MPI技(ji)術(shu)將小型矩(ju)(ju)陣(zhen)(zhen)分(fen)(fen)配到(dao)多臺計算(suan)節點分(fen)(fen)布(bu)式(shi)求解,實現(xian)算(suan)力(li)和(he)內(nei)存占(zhan)用兩個(ge)維度分(fen)(fen)布(bu)式(shi)。

    1.考核指標(biao):

    1)開發稀(xi)疏矩(ju)陣(zhen)壓縮(suo)或拆(chai)分技術,將有限(xian)元填(tian)充的(de)大型稀(xi)疏矩(ju)陣(zhen)拆(chai)分成(cheng)多個規模不超過(guo)1萬*1萬的(de)小型矩(ju)陣(zhen),并且矩(ju)陣(zhen)殘差(cha)控制在1e-7以(yi)內。

    2)相比(bi)現有商業稀疏矩陣求(qiu)解效率相比(bi),在同樣(yang)的硬件設(she)置下(xia),至少有10倍的加(jia)速比(bi)。

    2.項(xiang)目交付件: C++源代(dai)碼

    3.執行期限(xian): 2021年10月15日(ri)至2022年10月15日(ri)。

    4.經費(fei)額度: 非(fei)定額資助,資助總經費(fei)不超(chao)過100萬元

 

    二(er)、申報要(yao)求

    除滿足前(qian)述(shu)相(xiang)應條件外,還須(xu)遵循以下要求:

    1.項(xiang)目申報單(dan)位(wei)應當是注冊在亚(ya)博(bo)投注的法人或非法人組織,具(ju)有(you)組織項(xiang)目實施(shi)的相(xiang)應能力。

    2.研究(jiu)內容(rong)已經(jing)獲(huo)得財政(zheng)資金支(zhi)持的,不得重復申(shen)報。

    3.所有申(shen)(shen)(shen)報單位(wei)和項目(mu)參與人(ren)應遵(zun)守科研倫理準則,遵(zun)守人(ren)類遺傳資(zi)源管理相(xiang)關(guan)(guan)法規和病原微生(sheng)物實(shi)驗室(shi)生(sheng)物安全管理相(xiang)關(guan)(guan)規定,符合科研誠(cheng)信管理要求。項目(mu)負(fu)責(ze)人(ren)應承諾所提交材料(liao)真實(shi)性,申(shen)(shen)(shen)報單位(wei)應當對(dui)(dui)申(shen)(shen)(shen)請(qing)人(ren)的申(shen)(shen)(shen)請(qing)資(zi)格負(fu)責(ze),并(bing)對(dui)(dui)申(shen)(shen)(shen)請(qing)材料(liao)的真實(shi)性和完整性進行審核,不得(de)提交有涉(she)密內容的項目(mu)申(shen)(shen)(shen)請(qing)。

    4.申(shen)報(bao)項目若提(ti)出(chu)回避(bi)專家申(shen)請的,須在提(ti)交項目可行性方案的同時,上(shang)傳由(you)申(shen)報(bao)單位出(chu)具公函(han)提(ti)出(chu)回避(bi)專家名單與理由(you)。

    5.本批(pi)“揭榜(bang)掛帥”項(xiang)目由市(shi)科委(wei)會同用戶(hu)單位(wei)共同組織開展受理、評審、立項(xiang)、驗(yan)收(shou)等(deng)項(xiang)目管(guan)理事項(xiang)。采取會議評審方式對揭榜(bang)項(xiang)目進行擇優遴選,評審答辯事宜,另(ling)行通(tong)知。

 

    三、申報方式

    1.項目申(shen)(shen)報采用(yong)網上申(shen)(shen)報方式,無需送交紙質材(cai)料。申(shen)(shen)請人通(tong)過(guo)“中國上海”門戶(hu)網站(http://www.sh.gov.cn)--政務(wu)服務(wu)--點(dian)擊“上海市(shi)財政科技投入信(xin)息管(guan)理平臺”進入申(shen)(shen)報頁面,或者(zhe)直接通(tong)過(guo)域(yu)名http://czkj.sheic.org.cn/進入申(shen)(shen)報頁面:

    【初次填寫】使用申報(bao)賬(zhang)號(hao)登錄系統注冊時亚博投(tou)注的學校代(dai)碼為42503614-8,轉入申報指(zhi)南頁面,點擊相應的指(zhi)南專題后,按提示完成“上海科技”用戶賬號綁定,再進行項目申報;

    【繼續(xu)填寫】登錄已注冊申報賬號(hao)、密碼后繼續(xu)該項目的填報。

    有關操作可參閱在線幫助。

    2.項目網上http://u.stcsm.sh.gov.cn/)填報起(qi)始時間為2021年9月23日9:00,截止時間(含申報單位網上審核提交)為2021年10月15日16:30。

 

 四、亚博投注安排

請(qing)依托亚博投注申報的教師于2021年10月11日16:00前完(wan)成網上(shang)填(tian)報工(gong)作(zuo),并與(yu)科技發展研究院聯系確認項目填(tian)寫完(wan)畢(bi)、并完(wan)成提交,逾期(qi)視(shi)為放(fang)棄。 

 

聯系人: 黃凱(kai) 詹偉

聯系電話: 55274272

科技發展研究院

2021年9月16日

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